光电二极管光电流参数与入射光强度的关系
光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流，此时光敏二极管截止。
当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。
入射光的频率要大于极bai板的极限频率的前提下，当受直射光照射的极板电势高时：
在E=hv=1/2mv^2=eu时光电流为零，所以此时不受影响，
在E=hv=1/2mv^2>eu时光电流大小就与入射光的强度有关，因为入射光的强度越强，那么射到极板上的光子就越多，吸收光子发生光电效应的光电子就越多，从而光电流就越大，但最终达到饱和。
在入射光的频率要大于极板的极限频率的前提下，当受入射光照射的极板电势低时：
在光电流达到饱和之前，入射光的强度越强，光电流越大。
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